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IRL640S中文资料

IRL640S图片

IRL640S外观图

  • 大小:263.12KB
  • 厂家:
  • 描述:HEXFET? Power MOSFET
  • 标准包装:1,000
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:FET - 单
  • 系列:-
  • FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点:逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss):200V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:17A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 10A,5V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大):2V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs:66nC @ 5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds:1800pF @ 25V
  • 功率 - 最大:3.1W
  • 安装类型:表面贴装
  • 封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
  • 供应商设备封装:D2PAK
  • 包装:管件
  • 其它名称:*IRL640S

IRL640S供应商

更新时间:2023-03-04 01:58:37
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